存儲顆粒主要有這樣的一些品牌：美國的Micron（美光）、德國的Infineon（英飛凌）；韓國的SAMSUNG（三星）、HY（現代）；日本的NEC（日本電氣）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(東芝)；臺灣的EilteMT、ESMT（晶豪）、EtronTech（鈺創）、Winbond（華邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard（世界先進）、Nanya（南亞）。
有的品牌現在已經沒有被采用了，只有在SDRAM時代采用過，有的品牌在DDR時代采用的也不多了。顯存種類主要分SD和DDR兩種，有時候，他們可以從編號上區分，DDR的可能會注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。另外主要從管角數量上來區分，以TSOP封裝來說，SDRAM的管腳數量是27x2＝54，DDR的管腳數量為33X2=66。
美光（Micron）
圖1 美光芯片顆粒
美光是美國第一大、全球第二大內存芯片廠商，目前顯卡廠商采用它顯示芯片較少，它主要供應內存OEM商，下面用上圖的實例對Micron（美光）顆粒編號的簡單含義作介紹：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
8M8——內存顆粒容量為8M。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
顆粒編號MT 48LC8M8A2 TG-75，從編號上的48很容易知道這是SDRAM顆粒，采用TSOP封裝方式，速度為7.5ns，單顆粒為8M，位寬8bit。
億恒（In fineon）
圖2 Infineon（億恒）顆粒
Infineon是德國西門子的一個分公司，它主要生產內存顆粒。目前，Infineon在全球排名已經躍居為第四位，超過了韓國的Hynix。它的編號簡單，編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。它的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
用實例如上圖對它顆粒編號的簡單介紹：
HYB－內存編號開頭
25－25是時間（周）
D－D代表DDR顆粒，S代表SDR顆粒
128－128代表單顆容量為128/8=16M
32－32表示位寬32bit
3.3－3.3代表顆粒速度
這顆編號為HYB25D128323C-3.3，編號中正數第10、11位，也就是“32”代表了該顆粒的數據輸出位寬。32也就是單顆32位。順便說一下，這是DDR SGRAM顯存顆粒。
韓國三星（Samsung）
目前使用三星的內存顆粒來生產內存條的廠家非常多，在市場上有很高的占有率。由于其產品線龐大，所以三星內存顆粒的命名規則非常復雜。三星內存顆粒的型號采用一個15位數字編碼命名的。這其中用戶更關心的是內存容量和工作速率的識別，所以我們重點介紹這兩部分的含義。
下面簡單對三星的顆粒編號作一個介紹：
編碼規則：K 4 X X X X X X XX - X X X X
主要含義：
第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。
第2位——芯片類型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量，容量相同的顆粒采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表8Mbit的容量；28、27、2A代表16Mbit的容量；56、55、57、5A代表32Mbit的容量；51代表64Mbit的容量。
第6、7位——表示顆粒位寬，16代表16位；32代表32位；64代表64位。
第11位－－空格，沒有實際意義。
第12、13位――為速度標志。
第14、15位——芯片的速率數據。
圖3 三星顆粒（左邊為采用TSOP封裝DDR顆粒，右邊為采用TSOP封裝的SD顆粒）
圖4 采用mBGA封裝方式的DDR顯存顆粒
韓國現代（Hynix）
圖5 現代的顆粒（左圖為DDR顆粒，右圖為SD顆粒）
圖6 采用mBGA封裝方式的顆粒
韓國現代公司的顯存，應該為大多數朋友熟悉了。目前全球排名第四位，它的產品線也是很豐富的，在內存中，現代HY是物美價廉的代表。第一個編號為HY5DV641622AT-36的顆粒，它是DDR顯存顆粒，第4位的字母“D”即代表為DDR，單顆64/8＝8MB，速度為3.6ns；第二顆編號為HY57V641620HG T-6，它是SDR顆粒，它的第6、7兩位標稱了顯存單顆粒為64/8＝8MB，8，9兩位代表了顯存位寬為16bit，T-6表示速度為6ns，一般以-2A的標識方式進行標注。
臺灣晶豪電子
圖7 EilteMT顆粒
臺灣晶豪電子是臺灣5大內存芯片廠商之一，它近年來發展迅速，主要中國大陸顯卡商采用它的顆粒較多。這顆顯存編號為-5.5Q，9948S M32L32321SB，-5.5Q代表顯存的速度為5.5ns，對應的運行速度=1/5.5=183MHz；9948S表示封裝日期為99年第48周；第二行中的3232表示容量為32/8=4MB，數據帶寬為32bit。
圖8 ESMT顆粒
這顆顯存編號為M13L128168A-4T，5、6、7位的128表示單顆是128/8＝16MB，8、9位表示位寬16bit，最后的-4T表示速度為4ns。
臺灣鈺創科技
圖9 鈺創顆粒
臺灣鈺創科技為最近興起的存儲芯片領域里的一顆新星，它的內存顆粒被各大顯卡產商大量采用，品質性能都非常不錯。這顆顯存編號為EM658160TS-4.5，其中EM代表EtronTech(鈺創)顯存，65代表容量為64/8=8MB，16代表數據帶寬為16bit。T代表工作電壓為2.5V，S代表種類為DDR SDRAM。4.5代表顯存速度為4.5ns，額定工作頻率為230MHz。
南亞科技（NANYA）
南亞科技是全球第六大內存芯片廠商，也是去年臺灣內存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。這顆顯存編號為NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM顯存，6、7位8M表示單顆粒容量8M，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7K表示速度為7ns。
臺灣華邦（winbond）
圖11 winbond顆粒
臺灣華邦為臺灣5大內存芯片廠商之一，近年來，大陸客戶采用它的內存顆粒較多，因此為我們較熟悉的一種品牌。這顆粒編號為W946432AD-5H，第1位W為臺灣華邦顯存顆粒開頭標志，編號中的4、5為64表示單顆顯存為64/8=8Mb，第6、7為32表示單顆粒位寬為32位，第9位D表示位DDR顆粒，后面的第11、12位表示顆粒速度位5ns。
臺灣茂矽（MOSEL）
圖12 MOSEL顯存顆粒
臺灣茂矽科技是臺灣一家較大的內存芯片廠商，對大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。這顆粒編號為V54C365164VDT45，從編號的6、7為65表示單顆粒為64/8＝8MB，從編號的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號的最后3位T45可知顆粒速度為4.5ns。
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